HMDS烘箱原理,2-12寸晶圓預(yù)處理烘箱通過對烘箱 HMDS 預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間 等參數(shù)的編輯,可以在硅片、基片表面均勻涂布一層 HMDS,降低了 HMDS 處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量, 提高光刻膠與硅片的黏附性。
HMDS烘箱原理,2-12寸晶圓預(yù)處理烘箱的原理:
JS-HMDS烘箱箱通過對烘箱 HMDS 預(yù)處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)的編輯,可以在硅片、基片表面均勻涂布一層 HMDS,降低了 HMDS 處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量, 提高光刻膠與硅片的黏附性。
HMDS烘箱原理,2-12寸晶圓預(yù)處理烘箱的一般工作流程:
首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_真空泵抽真空,待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某 一高真空度后,開始充人氮?dú)猓涞竭_(dá)到某低真空度后,冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程,到達(dá)設(shè)定的充 入氮?dú)獯螖?shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入 HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時間后,停止充入 HMDS 藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與 HMDS 反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保 持時間后,再次開始抽真空。充入氮?dú)猓瓿烧麄€作業(yè)過程。HMDS 與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到 100℃ -200℃,去除硅片表面的水分,然后 HMDS 與表面的 OH 一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使 極性表面變成非極性表面。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。
尾氣排放等:多余的 HMDS 蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集 管道時需做專門處理。
⑴ 產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴(yán)格的測試,一般不要進(jìn)行修正,如使用時的環(huán)境惡劣,環(huán)境溫度超出適宜范圍,會引 起溫度顯示值與箱內(nèi)實(shí)際溫度誤差,如超出技術(shù)指標(biāo)范圍的,可以修正,具體步驟參照溫度控制器操作說明按所需進(jìn)行修正。
⑵ 儀器在正常工作狀態(tài)下,如打開箱門時間過長,關(guān)上箱門后暫時箱內(nèi)溫度有些變動,這是正常現(xiàn)象。
的用途
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻 的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥 基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會 侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕 容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將 HMDS 涂到硅片 表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。