快速熱處理退火爐,半導(dǎo)體RTP快速退火 爐可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火,硅化物形成,歐姆接觸制備以及快速氧化,快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時(shí)間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫,慢速升降溫功能
快速熱處理退火爐,半導(dǎo)體RTP快速退火 爐簡介
快速退火爐(RTP)近年來得到越來越廣泛的應(yīng)用。可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火,硅化物形成,歐姆接觸制備以及快速氧化,快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時(shí)間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫,慢速升降溫功能,采用三回路閉環(huán)溫度控制,精確的溫度控制部件可適用于特殊工藝要求,工藝重復(fù)性高,也可用于鐵電膜的制備以及各種半導(dǎo)體材料CVD的熱處理。
JS-RTP系列快速熱處理退火爐為我公司根據(jù)客戶需求專業(yè)定制的熱處理設(shè)備,半導(dǎo)體RTP快速退火爐主要用于:快速燒結(jié)、快速退火等工藝。具有:溫度均勻、控制穩(wěn)定等特點(diǎn),觸摸屏操作方式(設(shè)備小巧,節(jié)約空間)。
快速熱處理退火爐,半導(dǎo)體RTP快速退火 爐主要技術(shù)參數(shù)
1、外型形式:臺(tái)式
2、樣品尺寸:2-8英寸
3、外部爐膛:合金鍍金爐膛
4、內(nèi)部爐膛:優(yōu)質(zhì)石英材質(zhì)、可拆下清洗,有進(jìn)、出氣接口
5、加熱材質(zhì):紅外線燈管加熱
6、顯示:觸摸屏或電腦式
7、溫度范圍:300-1000℃
8、控溫精度:±5℃
9、升溫速率:10℃-50℃/S可調(diào)
10、降溫速率:10℃-50℃/S不可調(diào)
11、降溫方式:水冷(冷水機(jī)或冷水管道+氣冷)
12、工藝氣體:三路,一路氮?dú)狻?/span>一路空氣、一路氧氣,配備質(zhì)量流量計(jì),氣體流量自動(dòng)調(diào)節(jié)
13、真空度:可達(dá)0.05torr(可選配)
14、真空系統(tǒng):進(jìn)口無油真空泵
15、保護(hù)系統(tǒng):超溫保護(hù),流量保護(hù),計(jì)時(shí)控制,缺水報(bào)警等。