HMDS烘箱,太陽(yáng)能電池片HMDS烘箱適用行業(yè):MEMS、太陽(yáng)能、電池片、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。
HMDS烘箱,太陽(yáng)能電池片HMDS烘箱簡(jiǎn)介
光伏刻蝕是太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中的重要環(huán)節(jié),下面是一般光伏刻蝕工藝的流程:
1. 表面準(zhǔn)備:可以采用清洗溶液、酸洗、超聲波清洗等方式。
2. 光罩/掩膜涂覆:在光伏刻蝕中,需要使用光罩或掩膜來(lái)保護(hù)不需要刻蝕的區(qū)域。光
3. 刻蝕:具體刻蝕條件(如刻蝕液的濃度、溫度、刻蝕時(shí)間等)會(huì)根據(jù)電池設(shè)計(jì)和制造要求進(jìn)行控制。
4. 刻蝕后處理:后處理可能包括漂洗、清洗、脫罩等步驟,以確保電池片的質(zhì)量和可靠性。
5. 光伏電池制造其他工藝:刻蝕只是太陽(yáng)能電池制造的一部分,之后還需要進(jìn)行光伏電池的其他工藝。
HMDS烘箱,太陽(yáng)能電池片HMDS烘箱用途
光刻蝕刻加工的基本原理:
1. 光敏材料涂覆:首先,在待加工的基底表面涂覆一層光敏感材料(例如光刻膠)。該材料對(duì)于特定波長(zhǎng)的光會(huì)發(fā)生化學(xué)或物理變化。涂覆的光敏材料形成了一個(gè)稱為“光刻膠層"的薄膜。
2. 光罩設(shè)計(jì)和準(zhǔn)備
3. 曝光
4. 圖案形成
5. 刻蝕。
然而在光敏材料涂覆前需要將電池片基底做疏水性處理,該處理工藝需要借助HMDS增粘劑。一般通過(guò)氣相沉積的方法將HMDS處理在襯底表面。該設(shè)備為上海雋思HMDS烘箱
HMDS烘箱的性能:
溫度范圍:RT+10-200℃
真空度:≤1torr
操作界面:人機(jī)界面
工藝編輯:可儲(chǔ)存5個(gè)配方
氣體:N2進(jìn)氣閥,自動(dòng)控制
容積:定制
產(chǎn)品兼容性:2~12寸晶圓及碎片、方片等
適用行業(yè):MEMS、太陽(yáng)能、電池片、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。