大多數(shù)半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助 TI 采取措施防止故障模式。

   在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額"。

HAST高速老化壽命試驗箱，半導體高加速溫濕度試驗機用途

   用于評估非氣密性封裝IC器件、金屬材料等在濕度環(huán)境下的可靠性。通過溫度、濕度、大氣壓力條件下應用于加速濕氣的滲透，可通過外部保護材料（塑封料或封口），或在外部保護材料與金屬傳導材料之間界面。它采用了嚴格的溫度，濕度，大氣壓、電壓條件，該條件會加速水分滲透到材料內部與金屬導體之間的電化學反應。

HAST高速老化壽命試驗箱，半導體高加速溫濕度試驗機參照標準

JESD22-A118

JESD22-A110

      通常選擇HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測試時間。測試過程中，建議調試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據推算芯片結溫，要保證結溫不能過 高，并在測試過程中定期記錄。結溫推算方法參考《HTOL測試技術規(guī)范》